面発光レーザおよび半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 屋敷 健一郎; 辻 正芳; 阿南 隆由; 鈴木 尚文; 畠山 大; 深津 公良; 赤川 武志 |
| 专利号 | JP2009141119A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザおよび半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】導波路との間での結合損失を低減させることができ、高速動作可能であり、光出力を正確にモニターできる面発光レーザおよびこの面発光レーザを備える半導体装置を提供する。 【解決手段】基板101上に垂直共振器が設けられ、垂直共振器は基板101上の第1反射層102と、第1反射層102上に設けられた活性層104と、この活性層104の上部に設けられた電流狭窄構造と、この電流狭窄構造の上部に設けられた第2反射層109とを含む。電流狭窄構造を通る面内で直交するとともに、各層に平行な第1軸116および第2軸117を想定した場合、第1軸116方向での発光プロファイルおよび前記第2軸117方向での発光プロファイルが異なっている。第1軸116方向の放射角は第2軸117方向の放射角に比べて狭く、第2軸117方向で双峰の遠視野像を有する。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2009-06-25 |
| 申请日期 | 2007-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43914]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 屋敷 健一郎,辻 正芳,阿南 隆由,等. 面発光レーザおよび半導体装置. JP2009141119A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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