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半導体装置の生産システムおよび半導体装置の生産方法

文献类型:专利

作者原田 昌道; 木村 毅; ▲吉▼田 智彦
专利号JP2003069120A
著作权人SHARP CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体装置の生産システムおよび半導体装置の生産方法
英文摘要【課題】 生産工程の途中でバッチの特性が検出でき、良品率を迅速に向上できる半導体装置の生産システムおよび半導体装置の生産方法を提供すること。 【解決手段】 エピタキシャル成長工程である工程2を終えたバッチAから、先行ロットPを選択し、この先行ロットPを、バッチAの他のロットに先行して工程3から最終検査工程までを進ませて、半導体レーザ装置の完成品を製作する。この半導体レーザ装置の完成品の電気光特性を測定して、合否を判定する。半導体レーザ装置の特性を左右するエピタキシャル成長工程のパラメータが適切であるか否かが迅速に判定できるので、良品率を効果的に向上でき、不合格品の数を少なくできて、半導体装置の生産コストが低減できる。
公开日期2003-03-07
申请日期2001-08-24
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43919]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHARP CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
原田 昌道,木村 毅,▲吉▼田 智彦. 半導体装置の生産システムおよび半導体装置の生産方法. JP2003069120A.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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