(111)方位緩衝層を有する多層構造体
文献类型：专利
| 作者 | リアン-スン フン; ジョン アルフォンス アゴスティネリ; ホセ マニュエル ミール |
| 专利号 | JP1994244407A |
| 著作权人 | イーストマン コダック カンパニー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | (111)方位緩衝層を有する多層構造体 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 (111)方位を有する単結晶基板及びエピタキシャル酸化金属緩衝層よりなる多層構造体を提供する。 【構成】 基板11はドープされてもドープされなくてもよい。基板は、Si化合物と、Ge化合物と、Al,Ga,Inよりなる群から選定された少なくとも一つの元素及びN,P,As,Sbよりなる群から選定された少なくとも一つの元素よりなる化合物とよりなる群から選定された半導体である。基板は、基板の副格子定数の3倍に等しい基板の超格子寸法を規定する。エピタキシャル酸化金属緩衝層は基板の(111)方位に関して3重回転対称を有する。緩衝層13は、緩衝層の酸素から酸素への格子空間の4倍に等しい緩衝層超格子寸法を規定する。緩衝層超格子寸法は基板の超格子寸法の15パーセント以内である。 |
| 公开日期 | 1994-09-02 |
| 申请日期 | 1993-12-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43920]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | イーストマン コダック カンパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | リアン-スン フン,ジョン アルフォンス アゴスティネリ,ホセ マニュエル ミール. (111)方位緩衝層を有する多層構造体. JP1994244407A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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