半導体光集積素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 畠山 大; 佐々木 達也 |
| 专利号 | JP2000208862A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光機能部と受動光導波路部を同一基板上に集積した半導体光集積素子において、導波損失が低く、光機能部との接続部の空隙等による過剰損失のない光集積素子を安定して製造する技術を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体光集積素子1は、活性層114とコア層113の接続部近傍における第一及び第二のクラッド112、111の境界部において活性層114もしくはコア層113が方位に対して基板116面内で有限の角度を有して形成されており、かつ前記第一及び第二のクラッド112、111の接合部が{111}B面115により形成されている構成としてある。これにより、良好な埋め込み構造となり、素子特性を向上することができる。 |
| 公开日期 | 2000-07-28 |
| 申请日期 | 1999-01-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43931]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畠山 大,佐々木 達也. 半導体光集積素子及びその製造方法. JP2000208862A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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