Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers und optoelektronisches Bauelement
文献类型：专利
| 作者 | HÄRLE VOLKER |
| 专利号 | DE102005052357A1 |
| 著作权人 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers und optoelektronisches Bauelement |
| 英文摘要 | Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers (1) umfasst die Verfahrensschritte: DOLLAR A - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), DOLLAR A - epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3), die eine funktionelle Halbleiterschicht (5) umfasst, auf das Aufwachssubstrat (2), DOLLAR A - Aufbringen einer Maskenschicht (10) auf Teilbereiche der Halbleiterschichtenfolge (3) zur Erzeugung maskierter Bereiche (11) und unmaskierter Bereiche (12), DOLLAR A - Implantation von Ionen durch die unmaskierten Bereiche (12), DOLLAR A - Erzeugung von Implantationsbereichen (13) in dem Halbleiterwafer (1) und DOLLAR A - Zertrennen des Halbleiterwafers (1) entlang der Implantationsbereiche (13), wobei das Aufwachssubstrat (2) oder zumindest ein Teil des Aufwachssubstrats (2) von dem Halbleiterwafer abgetrennt wird. |
| 公开日期 | 2007-03-15 |
| 申请日期 | 2005-11-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43932]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HÄRLE VOLKER. Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers und optoelektronisches Bauelement. DE102005052357A1. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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