半導体レーザおよび複合半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 玉貫 岳正; 山崎 裕幸 |
| 专利号 | JP1997036493A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよび複合半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 電力-光出力変換効率が高く、かつ、狭い光出射領域において大出力が得られる半導体レーザを提供する。 【構成】 半導体基板上にバッファ層、活性層、クラッド層及びコンタクト層を形成し、活性層への電流注入領域が共振器の長さ方向に沿って直線的に変化するようにする。これにより、テーパ状に変化する発光領域9が得られる。発光領域9の広い側の端面に高反射膜10を形成し、発光領域の狭い側の端面に低反射膜11を形成する。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43946]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉貫 岳正,山崎 裕幸. 半導体レーザおよび複合半導体レーザ. JP1997036493A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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