光導波路の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 榊原 靖; 生和 義人 |
| 专利号 | JP1993063296A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光導波路の形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 埋込み形半導体レーザ等の光デバイスの光導波路の幅を精度良く、かつ再現性良く形成する。 【構成】 半導体ウエハ上に光導波路の幅を制御するためのサイドエッチングの少ない誘電体マスク14a,14bと、その上にそれより幅が広く光導波路16の両側のエッチング溝15の深さを制御するためのホトレジストマスク24a,24bを形成し、臭素メタノール液により2段階エッチングを行うことにより、幅1μm程度、深さ4μm程度の光導波路16を形成する。 【効果】 光導波路の形成の精度,再現性が向上し、半導体レーザを作製した場合、均一性に優れ、歩留りが向上する。 |
| 公开日期 | 1993-03-12 |
| 申请日期 | 1991-09-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43947]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 榊原 靖,生和 義人. 光導波路の形成方法. JP1993063296A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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