半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 森 健三 |
| 专利号 | JP1999220214A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】 チャープ量とスロープ効率とをいずれも高くできかつ高い歩留まりで製造できる半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 p型クラッド層とn型クラッド層の間に、井戸層と障壁層とが交互に積層された量子井戸層と量子井戸層の両側に設けられた分離閉じ込め層とを備えた半導体レーザダイオードであって、その分離閉じ込め層がそれぞれ、互いにキャリア濃度が異なる少なくとも2つの層を含んでなりかつ、該層のうち最もキャリア濃度の高い層のバンドギャップエネルギーが、レーザ発振状態において障壁層のバンドギャップエネルギーより小さくなるように各層のキャリア濃度を設定した。 |
| 公开日期 | 1999-08-10 |
| 申请日期 | 1998-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43957]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 健三. 半導体レーザダイオード. JP1999220214A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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