半導体素子および半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健 |
| 专利号 | JP2010016232A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子および半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】キャリア濃度を高くすることが可能であり、かつ電気抵抗を低くすることの可能な半導体発光素子を提供する。 【解決手段】n型クラッド層12は第1半導体層12Aと第2半導体層12Bとを交互に積層してなる超格子層となっている。第1半導体層12Aは、Teを含まないSe混晶を主に含んでおり、例えばBex1Mgx2Znx3Se混晶(0≦x1≦1,0≦x2≦1,0≦x3≦1,x1+x2+x3=1)を含んで構成されている。第2半導体層12Bは、Te混晶を主に含んでおり、例えばBex4Mgx5Znx6Te混晶(0≦x4≦1,0≦x5≦1,0≦x6≦1,x4+x5+x6=1)を含んで構成されている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-01-21 |
| 申请日期 | 2008-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43965]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野 克巳,野村 一郎,田才 邦彦,等. 半導体素子および半導体発光素子. JP2010016232A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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