シリコン基板上でのUVレーザー用ZnOナノ-アレイ及びZnOナノウォールアレイの形成方法
文献类型：专利
| 作者 | チョイ、ジン-ホ; ジャン、ユウ-スン; ウォン、ジュン-ヒー |
| 专利号 | JP2007514630A |
| 著作权人 | ナノハイブリッド カンパニー リミテッド |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | シリコン基板上でのUVレーザー用ZnOナノ-アレイ及びZnOナノウォールアレイの形成方法 |
| 英文摘要 | 本発明は、完全配向されたZnOナノロッドアレイ、及び新たな結晶成長速度、形態及び配向を有する新しいZnOナノウォールアレイを、基板にコーティングされたZnOナノ粒子から低温で形成する方法を提供する。このZnOナノロッドアレイの形成方法は、ZnOナノ粒子を合成し、緩衝層及びシード層として機能するこのZnOナノ粒子を基板にコーティングし、Znナイトレート、Znアセテート又はこれらの誘導体とヘキサメチレンテトラミンとを含む栄養溶液中でZnOナノ粒子を結晶に成長させることを含む。また、ZnOナノウォールアレイの形成方法は、ZnOナノ粒子を合成し、緩衝層及びシード層として機能するこのZnOナノ粒子を基板にコーティングし、Znアセテート又はその誘導体とクエン酸ナトリウムとを含む栄養溶液中でZnOナノ粒子を結晶に成長させることを含む。 |
| 公开日期 | 2007-06-07 |
| 申请日期 | 2004-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43982]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ナノハイブリッド カンパニー リミテッド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | チョイ、ジン-ホ,ジャン、ユウ-スン,ウォン、ジュン-ヒー. シリコン基板上でのUVレーザー用ZnOナノ-アレイ及びZnOナノウォールアレイの形成方法. JP2007514630A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。