P型不純物誘導層不規則化を生成する方法およびそのデバイス構造
文献类型：专利
| 作者 | ジョン イー ノースラップ; トーマス エル パオリー |
| 专利号 | JP1995211661A |
| 著作权人 | ゼロックス コーポレイション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | P型不純物誘導層不規則化を生成する方法およびそのデバイス構造 |
| 英文摘要 | 【目的】 【構成】 半導体物質の多層構造にp型不純物誘導層不規則化を生成する方法に関するものであって、i)不規則化剤を多層構造の上に若しくは内部に与える段階と、ii)半導体物質を高温でグループIII 物質リッチ状態下にてアニールして不規則化剤をp型ドーパントとして内部拡散させると同時に半導体物質において層の不規則化を誘導する段階と、を備える。 |
| 公开日期 | 1995-08-11 |
| 申请日期 | 1994-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43989]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ゼロックス コーポレイション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジョン イー ノースラップ,トーマス エル パオリー. P型不純物誘導層不規則化を生成する方法およびそのデバイス構造. JP1995211661A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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