半導体装置とその製造方法並びに製造装置
文献类型：专利
| 作者 | 芝 哲夫; 早藤 紀生; 杵築 弘隆; 金野 信明; 多田 仁史 |
| 专利号 | JP1993267780A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置とその製造方法並びに製造装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 積層構造の半導体エピタキシャル層にリッジを形成するようなパターニング処理を施し、このパターニング処理によって露出したAlGaAs層上にGaAs層を成長する際、リッジの側壁に空洞を生じたり、また、GaAs層の結晶品質を低下させたりすることなくGaAs層を成長できるようにする。 【構成】 n型GaAs基板上にn型AlGaAs第1クラッド層2,p型AlGaAs活性層3,n型AlGaAs第2クラッド層4,p型GaAs第1キャップ層5を順次エピタキシャル成長し、得られた半導体エピタキシャル層をn型AlGaAs第2クラッド層4が露出するようパターニングして逆メサ形状のリッジを形成し、次いで、露出したn型AlGaAs第2クラッド層4上にAlGaAs低温バッファ層30を介してn型GaAs電流ブロック層8を成長させる。 |
| 公开日期 | 1993-10-15 |
| 申请日期 | 1992-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43993]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 芝 哲夫,早藤 紀生,杵築 弘隆,等. 半導体装置とその製造方法並びに製造装置. JP1993267780A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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