半導体レーザ型光増幅素子
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 敏夫; 曲 克明; 竹下 達也 |
| 专利号 | JP1996064904A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ型光増幅素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 TE偏波入力光とTM偏波入力光に対するゲインを別々に調整でき、かつゲイン特性の偏波依存性が小さい半導体レーザ型光増幅素子の提供。 【構成】 導波路の一端面が入力端面となり、他端面が出力端面となる半導体レーザ型光増幅素子であって、前記導波路は量子井戸構造で形成されているとともに、前記導波路においては一部の長さ領域ではTE偏波光を増幅する面内圧縮歪み型の格子整合形態を構成しているとともに、他の一部の長さ領域ではTM偏波光を増幅する面内伸張歪み型の格子整合形態を構成した構造となり、かつ前記面内伸張歪み型の格子整合形態部分および面内圧縮歪み型の格子整合形態部分はそれぞれ独立した電極によってそれぞれ所望の電圧が印加されるように構成されている。 |
| 公开日期 | 1996-03-08 |
| 申请日期 | 1994-08-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43996]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 敏夫,曲 克明,竹下 達也. 半導体レーザ型光増幅素子. JP1996064904A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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