光ジャイロセンサ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阿久津 稔; 小山 貴之 |
| 专利号 | JP2010014495A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光ジャイロセンサ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】光導波路と光増幅器を半導体基板上に高精度に集積化できる光ジャイロセンサ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板1と、半導体基板1上に配置され、出力面11及び出力面12をそれぞれ有する光増幅器10と、出力面11及び出力面12にそれぞれ密接する端面を有して光増幅器10と共にリング状の光路を構成するように半導体基板1上に配置され、出力面11から出力される第1レーザ光L1及び出力面12から出力される第2レーザ光L2が互いに異なる周回方向に伝搬する光導波路20と、半導体基板1上に配置され、第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2のそれぞれ一部が光導波路20から移行する検出路30と、検出路30に移行した第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2のそれぞれ一部が合波して生じるビート信号を検出する信号検出器40とを備える。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-01-21 |
| 申请日期 | 2008-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44015]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿久津 稔,小山 貴之. 光ジャイロセンサ及びその製造方法. JP2010014495A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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