半導体レーザ,及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 保明; 武本 彰 |
| 专利号 | JP1995263798A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ,及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 自励発振を高い光出力まで持続でき、歩留りよく製造できる半導体レーザを得る。 【構成】 DH構造よりなる活性層3の、活性領域10の厚さを、電流注入のない可飽和吸収領域11の厚さより薄くし、これにより該活性領域11の垂直方向の光の閉じ込め係数を、可飽和吸収領域11のそれより小さくし、可飽和吸収領域11の働きを高めた。 【効果】 活性領域10の幅W,及び上クラッド層4の残し厚dの許容範囲が広くなり、自励発振を高い光出力まで持続できる半導体レーザを、歩留り良く得られる。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44038]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 保明,武本 彰. 半導体レーザ,及びその製造方法. JP1995263798A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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