半導体装置及び半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 武政 敬三; 和田 浩 |
| 专利号 | JP2000091704A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 キャリア注入効率が向上した高温動作に適する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ100は,光導波路120を備えている。光導波路120は,n-InPからなる下部クラッド層130とコア層140とp-InPからなる上部クラッド層150とが順次積層された構成となっている。コア層140は,下部クラッド層130側から,InGaAsPからなる下部SCH層141とホール停止層143とAlInGaAsからなる活性層145と電子停止層147とInGaAsPからなる上部SCH層149とが順次積層された構成となっている。かかる半導体レーザ100では,AlInGaAsよりも光の吸収が小さいInGaAsPでSCH層を形成することで,コア層140における光損失が低減される。また,ホール停止層143と電子停止層147とを設けることで,活性層145へのキャリア注入の効率化が図られる。 |
| 公开日期 | 2000-03-31 |
| 申请日期 | 1998-09-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44049]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武政 敬三,和田 浩. 半導体装置及び半導体装置の製造方法. JP2000091704A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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