光半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹内 哲也; 山田 範秀; 天野 浩; 赤▲崎▼ 勇 |
| 专利号 | JP1999112029A |
| 著作权人 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】高効率GaN系光半導体素子の構造とその製造方法の提供。 【解決手段】本発明の光半導体素子は通常用いられる{0001}面の面方位±1°等とは異なる面方位への成長をおこなってピエゾ電界の少ない歪量子井戸を形成している。半導体層を多層用いる本発明の光半導体素子では歪量子井戸のみを前記面方位で成長させてもよい。 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 申请日期 | 1997-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 哲也,山田 範秀,天野 浩,等. 光半導体素子およびその製造方法. JP1999112029A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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