半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 星 望 |
| 专利号 | JP2004103829A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】ストライプ状のリッジを形成する半導体レーザ装置のリッジ形状を左右対称な形状に形成することで動作時における電流分布を対称として、ホールバーニングを抑制してキンクレベルを向上させる。 【解決手段】基板11上に第1導電型の第1クラッド層13、活性層14、第2導電型の第2クラッド層の下層15,上層17、中間層18、ガリウムヒ素からなるキャップ層19を下層より順に形成した後、キャップ層19から第2クラッド層の途中(第2クラッド層の上層17上)までウエットエッチングして、キャップ層19から第2クラッド層の上層17まででストライプ状のリッジを形成する半導体レーザ装置の製造方法において、キャップ層19のウエットエッチングは、過酸化水素水よりもリン酸を多く含むリン酸と過酸化水素水と水との混合液からなるエッチング液を用いて等方性エッチングする。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-04-02 |
| 申请日期 | 2002-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44065]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 星 望. 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置. JP2004103829A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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