双安定半導体レーザ及びその制御方法
文献类型：专利
| 作者 | 平林 克彦; 津田 裕之; 野中 弘二; 黒川 隆志 |
| 专利号 | JP1994112581A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 双安定半導体レーザ及びその制御方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 複雑な製造プロセスを招来することなく入射波長制限がないと共に入射光と出射光の分離が的確になされ、加えてアレイ状に形成することが可能な双安定半導体レーザ及びその制御方法を提供する。 【構成】 入射光を可飽和部あるいは可飽和部と利得部の分離部に直接上側から入射させるようにし、特に、可飽和部に入射させる場合、可飽和部の電極としては、櫛形として光入射用の窓を開けておく、または透明電極とするようにしたので、光は半導体レーザに対して上から垂直に光が入射されるために入射波長制限がなく、入射光と出射光が的確に分離され、さらにアレイ状にすることも可能であり、従来の単純な構造の双安定半導体レーザと構造は変わらないため、簡単なプロセスで素子を形成することができる。 【効果】 有効な波長変換レーザを得ることができる。 |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 申请日期 | 1992-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44083]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平林 克彦,津田 裕之,野中 弘二,等. 双安定半導体レーザ及びその制御方法. JP1994112581A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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