面発光型半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中村 真嗣; 松田 賢一 |
| 专利号 | JP1997283836A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 面発光型半導体レーザ装置において変調の高速化と低チャープ化を図る。 【解決手段】 面発光型レーザ装置は、第1のレーザ用電極101、第1のDBR層102、第1のクラッド層103、活性層104、第2のクラッド層105、第2のレーザ用電極106、高抵抗半導体層107、第1の変調用電極108、コンタクト層109、p型InP層110、第2のDBR層111、n型InP層112及び第2の変調用電極113を備えている。第2のDBR層111はInGaAsPよりなる障壁層とInGaAsPよりなる井戸層とが交互に形成された量子井戸構造を有している。第1の変調用電極108と第2の変調用電極113との間に電圧が印加されると、第2のDBR層113は活性層104から発生した光を吸収する。 |
| 公开日期 | 1997-10-31 |
| 申请日期 | 1996-04-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44085]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 真嗣,松田 賢一. 面発光型半導体レーザ装置. JP1997283836A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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