低転位密度の薄膜成長法
文献类型：专利
| 作者 | 西野 勇; 佐川 徹; 田中 理子; 小山 泰幸 |
| 专利号 | JP1999310493A |
| 著作权人 | DOWAホールディングス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 低転位密度の薄膜成長法 |
| 英文摘要 | 【課題】 ZnSe単結晶基板上にZnSe薄膜をエピタキシャル成長させ、その上にレーザ素子作製に必要なMgZnSSe薄膜をエピタキシャル成長させると、この薄膜の転位密度はその下のZnSe薄膜およびZnSe単結晶基板と同程度かそれ以上であるため、ZnSe系レーザ素子の長寿命化が得られず、実用化のためには素子中の転位密度を下げる必要があり、転位密度の低いMgZnSSe薄膜の成長法が求められていた。 【解決手段】 ZnSe単結晶基板1上にZnSe薄膜2をエピタキシャル成長させ、その上にZnSe系半導体レーザ素子を作製する際に必要となるMgZnSSe薄膜3をエピタキシャル成長させるに当たって、高エネルギーのMg分子線および高エネルギーのS分子線と共にZn分子線、Se分子線を照射するという手法により、MgZnSSe薄膜の転位密度がZnSe薄膜およびZnSe単結晶基板の転位密度よりも低くなり、1×103cm-2程度まで減らすことが可能となるので、ZnSe系レーザ素子を含めZnSe系発光素子の長寿命化が期待される。 |
| 公开日期 | 1999-11-09 |
| 申请日期 | 1998-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44086]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | DOWAホールディングス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西野 勇,佐川 徹,田中 理子,等. 低転位密度の薄膜成長法. JP1999310493A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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