半導体レーザ素子、半導体レーザ装置、半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阿閉 誠; 牧田 幸治 |
| 专利号 | JP2008004847A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置、半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半田流出によるレーザ光の遮りを防止できる、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体基板101上に、第1クラッド層102、その端面からレーザ光を出射させるための活性層103、第2クラッド層104、所定の貫通孔を有する電流ブロック層105、電極層106、107が積層されており、第2クラッド層104は、電流ブロック層105が有する貫通孔を介して、電極層106に電気的に接続されている。そして、活性層103の端面よりも突出した構造(電極層106)を、活性層103を基準として半導体基板101と反対側に有している。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-01-10 |
| 申请日期 | 2006-06-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44088]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿閉 誠,牧田 幸治. 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置、半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ装置の製造方法. JP2008004847A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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