半導體裝置的製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 工藤 利雄; 水野 文二; 佐佐木 雄一朗; 金成國 |
| 专利号 | HK1095207A |
| 著作权人 | 住友重機械工業株式會社 |
| 国家 | 中国香港 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導體裝置的製造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种可以减小表面电阻变化的激光退火方法。在由半导体材料构成的基板的深度比100nm浅的表层部添加杂质。对基板照射从激光二极管激励型全固体激光振荡器射出的激光束或其高次谐波束，使杂质活性化。 |
| 公开日期 | 2007-04-27 |
| 申请日期 | 2007-03-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44195]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友重機械工業株式會社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 工藤 利雄,水野 文二,佐佐木 雄一朗,等. 半導體裝置的製造方法. HK1095207A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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