III－V氮化物半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 园部雅之; 木村义则; 渡边温 |
| 专利号 | CN1347178A |
| 著作权人 | 罗姆股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III－V氮化物半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 一种III－V氮化物半导体激光器件,包括:n侧AlGaN包覆层;n侧波导层;激活层;p侧波导层;和p侧AlGaN包覆层,其中,p侧波导层的折射率比所述n侧波导层的折射率更大。这种III－V氮化物半导体激光器件具有优良的发射特性,而不会增加生产成本。 |
| 公开日期 | 2002-05-01 |
| 申请日期 | 2001-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44245]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 罗姆股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 园部雅之,木村义则,渡边温. III－V氮化物半导体激光器件. CN1347178A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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