一种基于激光二极管的局部放电光电检测系统及方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘云鹏; 王剑; 赵涛; 裴少通; 刘贺晨; 李世延 |
| 发表日期 | 2017-07-28 |
| 专利号 | CN104166075B |
| 著作权人 | 华北电力大学(保定) |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种基于激光二极管的局部放电光电检测系统及方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及局部放电监测技术领域，特别涉及一种基于激光二极管的局部放电光电检测系统及方法，包括光电测量模块、光纤传输、光电转换装置、数据采集装置；光电测量模块置于试样高压端，局放电流通过适当大小的采样电阻分压流过带尾纤的激光二极管，压敏电阻、双向抑制二极管、保护电阻组成保护回路来防止二极管大电流损坏，激光二极管根据局放电流大小的不同发出不同强度的光；光电测量模块输出通过光纤进行传输；光电转换装置将光纤传输的光信号转换为电信号，输出到数据采集装置。本发明提供了有效地测量电气设备局部放电电流的装置和方法，测量结果直观，入纤功率大，调制速度高，反应速度快，且能有效避免电磁干扰和地线干扰。 |
| 公开日期 | 2017-07-28 |
| 申请日期 | 2014-07-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44271]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华北电力大学(保定) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘云鹏,王剑,赵涛,等. 一种基于激光二极管的局部放电光电检测系统及方法. CN104166075B. 2017-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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