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表面発光レーザ及びその製造方法

文献类型:专利

作者ロバート エル.ソーントン
发表日期2001-02-23
专利号JP3162333B2
著作权人ゼロックス コーポレーション
国家日本
文献子类授权发明
其他题名表面発光レーザ及びその製造方法
英文摘要【課題】 レーザ構造のレイジング開口を画定するために使用することができる、その酸化領域の画定及び制御が優れて行われた非常にコンパクトなVCSEL構造を提供する。 【解決手段】 レーザ構造の中に所定のパターンに配置された複数のキャビティ126を使用して酸化領域124を形成する。レイジング開口122は、これらのキャビティ126を中心とするこれらの酸化領域124によって囲まれた、酸化されていない領域である。酸化プロセスの間、半導体構造の中に埋め込まれたアルミニウム含量の高いAlGaAs層は、これらのキャビティ126の各々から外側に向けて放射方向へと、2つの隣接するキャビティ126の間の酸化領域124がオーバーラップするまで酸化される。
公开日期2001-04-25
申请日期1998-02-05
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44304]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ゼロックス コーポレーション
推荐引用方式
GB/T 7714
ロバート エル.ソーントン. 表面発光レーザ及びその製造方法. JP3162333B2. 2001-02-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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