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半导体激光装置和其制造方法

文献类型:专利

作者中岛三郎; 野村康彦; 畑雅幸; 后藤壮谦
发表日期2011-12-14
专利号CN101272035B
著作权人三洋电机株式会社
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体激光装置和其制造方法
英文摘要本发明提供一种半导体激光装置和其制造方法,该半导体激光装置包括:沿着共振器延伸的第一方向或与第一方向交叉的第二方向存在弯曲的半导体激光元件;和固定半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台,在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的另一端部和基台之间的距离。
公开日期2011-12-14
申请日期2008-03-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44310]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
中岛三郎,野村康彦,畑雅幸,等. 半导体激光装置和其制造方法. CN101272035B. 2011-12-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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