外腔粘接型窄线宽单模半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 许知止; 陈家骅; 霍玉晶; 周炳琨 |
| 发表日期 | 1987-06-10 |
| 专利号 | CN86202829U |
| 著作权人 | 清华大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 外腔粘接型窄线宽单模半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型具有如下特征：(1)由半导体激光二极管、自聚焦透镜和部分反射镜组成长耦合腔，其中半导体激光二极管在耦合腔一侧的端面、自聚焦透镜的两个端面镀有增透膜；(2)全部机械结构粘接为一个整体；(3)在密封外壳内部充有保护气体；本实用新型线宽≤1MHz，体积小(25×30×70mm3)使用时不需机械调整，在室温下，不经任何反馈控制，单模稳定时间≥1小时。 |
| 公开日期 | 1987-06-10 |
| 申请日期 | 1986-05-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44326]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许知止,陈家骅,霍玉晶,等. 外腔粘接型窄线宽单模半导体激光器. CN86202829U. 1987-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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