通信用半导体激光器、其制造方法及光发送模块
文献类型：专利
| 作者 | 神山博幸; 向久保优; 井上宏明; 北原知之 |
| 发表日期 | 2011-04-20 |
| 专利号 | CN101132112B |
| 著作权人 | 日本朗美通株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 通信用半导体激光器、其制造方法及光发送模块 |
| 英文摘要 | 在半导体激光器中有时会存在初期故障方式，这种初期故障方式几乎不依赖于温度，内部的光能量即从外部观测的光输出量越大，该故障进行越厉害。光输出量越大越进行的初期故障方式的筛选是不充分的，其初期故障率比具有以往的活性层材料的半导体激光器元件要高。在制造过程中，采用在室温等比平均工作温度低的温度下的大的光输出的试验是有效的。这样，排除了具有光输出量越大越进行的初期故障方式的元件，延长了预期寿命。 |
| 公开日期 | 2011-04-20 |
| 申请日期 | 2007-08-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44338]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本朗美通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神山博幸,向久保优,井上宏明,等. 通信用半导体激光器、其制造方法及光发送模块. CN101132112B. 2011-04-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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