掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 胡祖树; 王国富; 林州斌; 张莉珍 |
发表日期 | 2007-05-30 |
专利号 | CN1318657C |
著作权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法 |
英文摘要 | 掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法,涉及人工晶体领域,特别是涉及一种激光晶体掺钕硼酸钪锶钆及其制备方法。采用提拉法生长,生长温度1316℃左右,5—20转/分钟的晶体转速,0.5—2毫米/小时的拉速。该晶体属R3空间群,密度为4.237g/cm3,折射率73。该晶体在806nm处有一强的吸收峰,吸收系数为9.0cm-1,半峰宽23.0nm,吸收截面2×10-19cm2,适合于采用激光二极管(LD)来泵浦;另外,其在波长1060nm有强的荧光发射峰,发射跃迁截面为2.4×10-19cm2,半峰宽30.5nm,易于产生波长为1060nm的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。 |
公开日期 | 2007-05-30 |
申请日期 | 2003-07-04 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44345] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡祖树,王国富,林州斌,等. 掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法. CN1318657C. 2007-05-30. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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