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掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法

文献类型:专利

作者胡祖树; 王国富; 林州斌; 张莉珍
发表日期2007-05-30
专利号CN1318657C
著作权人中国科学院福建物质结构研究所
国家中国
文献子类授权发明
其他题名掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法
英文摘要掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法,涉及人工晶体领域,特别是涉及一种激光晶体掺钕硼酸钪锶钆及其制备方法。采用提拉法生长,生长温度1316℃左右,5—20转/分钟的晶体转速,0.5—2毫米/小时的拉速。该晶体属R3空间群,密度为4.237g/cm3,折射率73。该晶体在806nm处有一强的吸收峰,吸收系数为9.0cm-1,半峰宽23.0nm,吸收截面2×10-19cm2,适合于采用激光二极管(LD)来泵浦;另外,其在波长1060nm有强的荧光发射峰,发射跃迁截面为2.4×10-19cm2,半峰宽30.5nm,易于产生波长为1060nm的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。
公开日期2007-05-30
申请日期2003-07-04
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44345]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院福建物质结构研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
胡祖树,王国富,林州斌,等. 掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法. CN1318657C. 2007-05-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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