掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 胡祖树; 王国富; 林州斌; 张莉珍 |
| 发表日期 | 2007-05-30 |
| 专利号 | CN1318657C |
| 著作权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法 |
| 英文摘要 | 掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体掺钕硼酸钪锶钆及其制备方法。采用提拉法生长，生长温度1316℃左右，5—20转/分钟的晶体转速，0.5—2毫米/小时的拉速。该晶体属R3空间群，密度为4.237g/cm3，折射率73。该晶体在806nm处有一强的吸收峰，吸收系数为9.0cm-1，半峰宽23.0nm，吸收截面2×10-19cm2，适合于采用激光二极管(LD)来泵浦；另外，其在波长1060nm有强的荧光发射峰，发射跃迁截面为2.4×10-19cm2，半峰宽30.5nm，易于产生波长为1060nm的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。 |
| 公开日期 | 2007-05-30 |
| 申请日期 | 2003-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44345]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡祖树,王国富,林州斌,等. 掺钕硼酸钪锶钆激光晶体及其制备方法. CN1318657C. 2007-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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