双波长半导体激光器装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 牧田幸治; 鹿岛孝之 |
| 发表日期 | 2012-07-25 |
| 专利号 | CN101505036B |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 双波长半导体激光器装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 稳定实现CW光输出200mW以上的集成型双波长半导体激光器。双波长半导体激光器装置具备：第1半导体激光器元件，具备第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层；和第2半导体激光器元件，具备第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层。至少构成第1量子阱活性层的势垒层、第1引导层及第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。 |
| 公开日期 | 2012-07-25 |
| 申请日期 | 2009-01-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44350]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牧田幸治,鹿岛孝之. 双波长半导体激光器装置及其制造方法. CN101505036B. 2012-07-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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