窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡崎 均; 小田 修 |
| 发表日期 | 2005-07-01 |
| 专利号 | JP3692452B2 |
| 著作权人 | 株式会社日鉱マテリアルズ |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板上にエピタキシャル成長させた窒化ガリウム層の剥離性が良く、容易に窒化ガリウム単結晶の厚膜を得ることができる方法を提供する。 【解決手段】 Gaペロブスカイト基板またはAlペロブスカイト基板の{101}面または{011}面上に、窒化ガリウムの単結晶層を100μm以上の厚さ、好ましくは200μm以上の厚さとなるようにハイドライドVPE法によりエピタキシャル成長させた後に、該成長層を前記基板から剥離して窒化ガリウム単結晶の厚膜を得る。 |
| 公开日期 | 2005-09-07 |
| 申请日期 | 1995-09-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44374]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日鉱マテリアルズ |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡崎 均,小田 修. 窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法. JP3692452B2. 2005-07-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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