半導体積層構造の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内田 護; 尾内 敏彦 |
| 发表日期 | 2001-09-21 |
| 专利号 | JP3233958B2 |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体積層構造の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】再成長界面の結晶品質の飛躍的向上により、任意構造の半導体レーザなどに適用可能な再成長技術である。
【構成】半導体基板上に半導体レーザ等の活性層を有する光デバイスを製作する工程において、少なくとも2回の結晶成長の工程を有し、再成長の最初のエピタキシャル材料がAlを含む。酸化されたAlGaAsなどを高純度のAlxGa1-xAs(0 |
| 公开日期 | 2001-12-04 |
| 申请日期 | 1991-12-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44375]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 護,尾内 敏彦. 半導体積層構造の製造方法. JP3233958B2. 2001-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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