量子井戸型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 今本 浩史; 今仲 行一 |
| 发表日期 | 1999-04-16 |
| 专利号 | JP2913947B2 |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 量子井戸型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 広い温度領域にわたって発光波長の温度安定性が高い量子井戸型反導体レーザを提供する。 【構成】 活性層4は4重量子井戸構造となっており、各井戸層9a〜9dには2つの量子準位E0,E1が生成されている。半導体レーザ素子1の両出射端面(へき開面)11には、最低量子準位E0に対応する発光波長λ=850nmと高次の量子準位E1に対応する発光波長λ=790nmの中間の発光波長で最低量子準位E0に対応する発光波長での反射率と高次の量子準位E1に対応する発光波長での反射率よりも高反射率となるように例えばSiO2やAl2O3等の誘電体膜からなる端面コート12を施してある。このため、中間の発光波長領域でのレーザ動作が支配的となり、広い温度範囲にわたって波長変動が小さくなる。 |
| 公开日期 | 1999-06-28 |
| 申请日期 | 1991-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44380]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今本 浩史,今仲 行一. 量子井戸型半導体レーザ. JP2913947B2. 1999-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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