中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
半導体光デバイス及びそれを用いた光ネットワーク

文献类型:专利

作者内田 護; 新田 淳
发表日期2002-12-20
专利号JP3382471B2
著作权人キヤノン株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体光デバイス及びそれを用いた光ネットワーク
英文摘要【課題】チャーピングを抑えることができ、設計および作製の自由度の高い半導体レーザとそれを用いた光ネットワークである。 【解決手段】半導体光デバイスは、ファブリペロ共振器領域と分布帰還型共振器領域から成る複合共振器構造を有する。半導体光デバイスは、偏光方向が互いに直交する複数の導波モードを有する各共振器領域の光導波路102、103、104、105と、各共振器領域の光導波路を結合する光結合手段と、各共振器領域に利得を与える利得媒質104と、各共振器領域の光導波路に導波されるそれぞれの光の位相を調整する位相調整手段とから成る。この構成で、1つの発振モードは安定なDFBモードとし、他の発振モードはマルチモードとする直接偏波変調を行うことができる。
公开日期2003-03-04
申请日期1996-09-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44382]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
内田 護,新田 淳. 半導体光デバイス及びそれを用いた光ネットワーク. JP3382471B2. 2002-12-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。