多重量子井戸型半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 玉村 好司; 野口 裕泰 |
| 发表日期 | 2008-01-25 |
| 专利号 | JP4069479B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多重量子井戸型半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 均一な発光をする発光特性に優れた半導体発光装置を提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2とn型AlGaInPクラッド層3とGaInP/AlGaInPMQW構造の活性層4とp型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6とp型GaAsキャップ層7とを順次成長させ、p型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6およびp型GaAsキャップ層7をメサ構造にし、n型GaAs電流ブロック層8をメサ構造の両側に成長させて積層する。活性層4はn型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層3とp型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層5と50Å厚の(Al0.35Ga0.65)0.5 In0.5 Pバリア層と40Å厚の中央に位置するGa0.52In0.48P量子井戸層と、46Å厚のクラッド層寄りのGa0.52In0.48P量子井戸層からなっている。 |
| 公开日期 | 2008-04-02 |
| 申请日期 | 1997-08-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44394]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉村 好司,野口 裕泰. 多重量子井戸型半導体発光素子. JP4069479B2. 2008-01-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。