自己整合性半導体レーザのリッジ構造の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | クリストフ·シュテファン·ハルダー; ヴィルヘルム·ホイベルガー; ピーター·ディー·ホー |
| 发表日期 | 1994-12-12 |
| 专利号 | JP1994101612B2 |
| 著作权人 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 自己整合性半導体レーザのリッジ構造の形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 例えば信号伝送システムに対して必要とされる長波長のデバイスに対して特に有用な自己整合性半導体レーザのリッジ構造を形成する方法を提供する。 【構成】 InP系の二重ヘテロ構造(DH)レーザに対して適用された場合の本方法が説明されている。薄いSi3 N4 レーザ層41が、リッジ構造を画成するフォトレジストマスク42と接触層35との間に挿入される。この結果接着性を向上させ、エッチングによるアンダカッティングを低減させ、そのため接触面積が増加し、熱発生が低減し、デバイスの特性が向上する。接着性の向上のため、高いプラズマ励起周波数(RF)で被着したSi3 N4 層41を用い、かつデバイスの埋没に対して低周波数(LF)被着したSi3 N4 層43を用いることにより、接着層をオーム接触金属化被着に対して露出するために用いるプロセスの過程で必要とされるエッチングの選択性を提供する。 |
| 公开日期 | 1994-12-12 |
| 申请日期 | 1991-03-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44396]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | クリストフ·シュテファン·ハルダー,ヴィルヘルム·ホイベルガー,ピーター·ディー·ホー. 自己整合性半導体レーザのリッジ構造の形成方法. JP1994101612B2. 1994-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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