埋め込み構造半導体光デバイスの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 村田 茂 |
| 发表日期 | 1996-03-13 |
| 专利号 | JP2500615B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 埋め込み構造半導体光デバイスの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 均一性の良い製造が可能でかつ簡便な、埋め込み構造半導体光デバイス、特にアレイ·デバイスの製造方法を提供する。 【構成】 活性層31および電極コンタクト層51を含む活性領域101を半導体基板11表面に選択的に形成し、活性層よりもエネルギーギャップの大きな半導体埋め込み層71を半導体基板表面のほぼ全面に成長する。半導体基板表面をポリミド層81で覆い、ポリイミド層の一部をエッチバック法により除去して埋め込み層の一部を露出させ、埋め込み層の露出した部分を除去して電極コンタクト層51を露出させ、露出した寝極コンタクト層の上に電極91を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-05-29 |
| 申请日期 | 1993-06-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44415]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村田 茂. 埋め込み構造半導体光デバイスの製造方法. JP2500615B2. 1996-03-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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