波長可変半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪田 康隆 |
| 发表日期 | 1998-04-17 |
| 专利号 | JP2770722B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 波長可変半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】二重導波路型波長可変半導体レーザ(TTGレーザ)のチューニング層あるいはレーザ活性層にブロック構造を付加することにより、波長可変幅の拡大あるいは、光出力の向上を図る。 【構成】MOVPE選択成長により作製したリッジ導波路構造の両脇へ、pn電流ブロック構造もしくは、高抵抗電流ブロック構造を付加する。活性層が上側にある構造では、この活性層に対して電流ブロック構造となるので、高電流注入時にも漏れ電流を抑制できるため高光出力動作が可能となる。チューニング層が上側にある構造では、このチューニング層に対して電流ブロック構造となるので、チューニング電流を効率よくチューニング層へ注入できるため、波長可変幅の拡大が可能となる。 |
| 公开日期 | 1998-07-02 |
| 申请日期 | 1993-11-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44416]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪田 康隆. 波長可変半導体レーザの製造方法. JP2770722B2. 1998-04-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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