p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 木村 明隆; 笹岡 千秋; 仁道 正明 |
| 发表日期 | 2001-08-03 |
| 专利号 | JP3217004B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型のドーパントであるマグネシウムの発光層への拡散を防止することによって、バンド間遷移確率の高い窒化ガリウム系レーザまたは設計値通りのスペクトルで発光する窒化ガリウム系発光ダイオードなどの窒化ガリウム系発光素子を提供すること。 【解決手段】 マグネシウムが添加されたp型半導体層と発光層の間に、珪素が添加されたn型半導体層を形成する。前記n型半導体層がマグネシウムの拡散を防止するため、マグネシウムがp型半導体層から発光層へと拡散することがない。よって、本発明の窒化ガリウム系レーザは、量子井戸層に於けるバンド間遷移確率が低下することがなく、発振しきい値電流が低い。また本発明の発光ダイオードは、発光が期待したスペクトルからずれることがない。 |
| 公开日期 | 2001-10-09 |
| 申请日期 | 1997-01-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44427]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 明隆,笹岡 千秋,仁道 正明. p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子. JP3217004B2. 2001-08-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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