Semiconductor laser with a light guide
文献类型:专利
作者 | ITOH, KUNIO; INOUE, MORIO |
发表日期 | 1979-12-11 |
专利号 | CA1067989A |
著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
国家 | 加拿大 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | Semiconductor laser with a light guide |
英文摘要 | SEMICONDUCTOR LASER WITH A LIGHT GUIDE Abstract of the Disclosure In a semiconductor laser with a light guide (wave guide), an active region constituting a Fabry-Perot cavity is formed in a mesa part on a semiconductor substrate. A mixed crystal composition fills mesa-etched hollows to constitute a light guide. The improvement is that the active region consists of, Ga1-xAlxAs (0?x<1) and the mixed crystal of the light guide consists of GaAs1-yPy (0 |
公开日期 | 1979-12-11 |
申请日期 | 1976-11-30 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44428] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ITOH, KUNIO,INOUE, MORIO. Semiconductor laser with a light guide. CA1067989A. 1979-12-11. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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