窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 幡 俊雄 |
| 发表日期 | 2008-09-05 |
| 专利号 | JP4179424B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 良好な再成長界面を有し、電気的特性及び光学的特性が優れ、信頼性の高い内部電流阻止層を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 MgドープAl0.1Ga0.9Nクラッド層6上に、Mgドープ又はN型In0.95Ga0.05N再蒸発層60を成長させる。そして、2回目の結晶成長工程で、基板温度約400℃以上、N2雰囲気中でMgドープ又はN型In0.95Ga0.05N再蒸発層60、即ち再蒸発層60の内、N型又は高抵抗Al0.05Ga0.95N内部電流阻止層7によって覆われていない部分を蒸発させ、清浄なMgドープAl0.1Ga0.9Nクラッド層6表面を露出17させる。 |
| 公开日期 | 2008-11-12 |
| 申请日期 | 1997-05-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44433]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡 俊雄. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法. JP4179424B2. 2008-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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