半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 國次 恭宏; 永井 豊 |
| 发表日期 | 2002-06-07 |
| 专利号 | JP3315185B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 丸型ウエハを用いて、複数回のエピタキシャル成長を経て形成される半導体光素子を製造する場合に、結晶成長工程後のマスクアライメントを可能とできるアライメントマーカの製造方法を得る。 【構成】 結晶成長工程後のマスクアライメントに用いるアライメントマーカの製造において、絶縁膜パターンを形成する際、光導波路を形成するためのストライプ状パターンと同時にアライメントマーカ形成領域に、該ストライプ状パターンと所定の位置関係を有する、アライメントマーカの形状に対応した形状のパターンを形成し、このパターンを用いてアライメントマーカを形成する。 【効果】 光導波路ストライプと所定の位置関係を有する、識別が容易なアライメントマーカを、工程数をあまり、あるいは全く増やすことなく製造できる。 |
| 公开日期 | 2002-08-19 |
| 申请日期 | 1993-03-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44440]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 國次 恭宏,永井 豊. 半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法. JP3315185B2. 2002-06-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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