窒化物系半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小野村 正明 |
| 发表日期 | 2005-03-25 |
| 专利号 | JP3659621B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】プロセスが容易で再現性にも優れ、ビーム特性に優れ、高出力低電流動作が可能な窒化物系半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】基板上に形成された開口部からラテラルに成長形成された複数の窒化物系半導体層(GaxInyAlzB1-x-y-zN :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなり、前記窒化物系半導体層からなるコンタクト層18と、このコンタクト層18上に形成された前記窒化物系半導体層からなる活性層14と、活性層14を挟むように形成された導電型の異なる前記窒化物系半導体層からなるクラッド層13,15とを具備し、活性層14およびクラッド層13,15は、複数の窒化物系半導体層中の、開口部上から横方向に、コンタクト層の膜厚以上離れて形成されていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。 |
| 公开日期 | 2005-06-15 |
| 申请日期 | 1999-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44458]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野村 正明. 窒化物系半導体レーザ装置の製造方法. JP3659621B2. 2005-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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