面発光型半導体レーザ装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石川 徹; 茨木 晃; 古沢 浩太郎; 三宅 輝明 |
| 发表日期 | 1999-09-03 |
| 专利号 | JP2975745B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、活性層を含む被埋め込み部とこの周囲に電流ブロック層からなる埋め込み部をもつ面発光半導体レーザ装置において、電流ブロック層に生じるピット等による電流阻止効果の低減を防止する半導体レーザ装置とその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 n型クラッド層3上に被埋め込み部7を隔ててP型活性層4と同じ材料からなる補助電流ブロック層8を構成し、この補助電流ブロック層8及び露出したクラッド層3上にp型、n型電流ブロック層9、10をこの順に構成する。 |
| 公开日期 | 1999-11-10 |
| 申请日期 | 1991-11-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44482]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 徹,茨木 晃,古沢 浩太郎,等. 面発光型半導体レーザ装置とその製造方法. JP2975745B2. 1999-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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