歪量子井戸半導体レーザ素子および歪量子井戸構造の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 今荘 義弘; 岡本 紘 |
| 发表日期 | 1997-06-06 |
| 专利号 | JP2659872B2 |
| 著作权人 | 光技術研究開発株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 歪量子井戸半導体レーザ素子および歪量子井戸構造の作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 主に、波長3マイクロメートル帯で発振可能な歪量子井戸半導体レーザ素子を提供すると共に、組成の制御性に優れ、且つヘテロ界面の劣化を防止することのできる歪量子井戸構造の作製方法を提供する。 【構成】 InAsPから成る歪量子井戸活性層10と、GaInAsPから成る障壁層11とで歪量子井戸構造4が形成され、歪量子井戸構造4の上下にクラッド層3,5が配置された歪量子井戸半導体レーザ素子1において、InPと格子定数が等しいGaX In1-x Asy P1-y (x,yは組成比、0y P1-y を歪量子井戸活性層10としたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1997-09-30 |
| 申请日期 | 1991-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44507]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光技術研究開発株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今荘 義弘,岡本 紘. 歪量子井戸半導体レーザ素子および歪量子井戸構造の作製方法. JP2659872B2. 1997-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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