レーザCRTとこれに用いる発光素子体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森 芳文; 船戸 健次; 戸田 淳 |
| 发表日期 | 2002-06-28 |
| 专利号 | JP3321986B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | レーザCRTとこれに用いる発光素子体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 小型化および簡素化を図るレーザCRTとこれに用いる発光素子体の製造方法を提供すること。 【構成】 本発明のレーザCRT1は3原色に対応して設けられそれぞれ電子線21a〜21cを発射する3つのカソード2a〜2cと各電子線21a〜21cを一緒に偏向する一つの偏向ヨーク3と赤色、緑色、青色の発光領域が一つの基板を用いて一体的に形成された発光素子体4とから構成される。また、基板上に3つの発光領域形成層をレーザ光の出射方向に沿って赤色、緑色、青色の順に対応して積み上げ、その上に第一反射膜を被着した後、各発光領域形成層を階段状に露出させて第2反射膜を被着する発光素子体4の製造方法である。 |
| 公开日期 | 2002-09-09 |
| 申请日期 | 1994-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44510]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 芳文,船戸 健次,戸田 淳. レーザCRTとこれに用いる発光素子体の製造方法. JP3321986B2. 2002-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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