化合物半導体のエッチング方法
文献类型：专利
| 作者 | 太田 潔; 後藤 壮謙 |
| 发表日期 | 2006-09-08 |
| 专利号 | JP3850944B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体のエッチング方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 異なる種類の構成材料からなる2層以上の化合物半導体層を1回のエッチングでエッチングし得る化合物半導体のエッチング方法を提供する。 【解決手段】 マスク層8を介してp型GaAs保護層7、p型GaInPキャップ層6、及びp型AlGaInPクラッド層5からなる化合物半導体層を、温度10℃の臭化水素酸(HBrが47%含有):リン酸(H3 PO4 が85〜87%含有):過酸化水素水(H2 O2 が35%含有)=75:50:1(体積比)のエッチング液で1回の処理によりエッチング(エッチングレートは約140Å/秒)して、p型クラッド層5に層厚0.4μmの平坦部5a及び幅3μmのストライプ部5bを有するストライプ状リッジ導波路9を形成する。 |
| 公开日期 | 2006-11-29 |
| 申请日期 | 1997-03-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44520]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田 潔,後藤 壮謙. 化合物半導体のエッチング方法. JP3850944B2. 2006-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。