Surface-emitting semiconductor laser device
文献类型:专利
作者 | NODA, SUSUMU; KOJIMA, KEISUKE; KYUMA, KAZUO |
发表日期 | 1989-07-11 |
专利号 | US4847844 |
著作权人 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
国家 | 美国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | Surface-emitting semiconductor laser device |
英文摘要 | A surface-emitting semiconductor laser device comprises a first electrode, a first-conductivity-type clad layer provided on the first electrode, an active layer provided on the first-conductivity-type clad layer, a guide layer provided on the active layer and having an even-numbered-order diffraction grating opposite to the active layer, a second-conductivity-type clad layer provided on the guide layer, contact layers provided on portions of the second-conductivity-type clad layer, and second electrodes provided on the contact layers. |
公开日期 | 1989-07-11 |
申请日期 | 1988-01-26 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44535] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
推荐引用方式 GB/T 7714 | NODA, SUSUMU,KOJIMA, KEISUKE,KYUMA, KAZUO. Surface-emitting semiconductor laser device. US4847844. 1989-07-11. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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