Contacting structure on a semiconductor arrangement
文献类型：专利
| 作者 | CARBALLES, JEAN-CLAUDE |
| 发表日期 | 1980-06-03 |
| 专利号 | US4206468 |
| 著作权人 | THOMSON-CSF |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Contacting structure on a semiconductor arrangement |
| 英文摘要 | A semiconductor laser with a substrate made of gallium arsenide and layers, epitaxially grown upon the substrate. The upper layer is covered partially by a rib of gallium arsenide and carries one electrical current. |
| 公开日期 | 1980-06-03 |
| 申请日期 | 1979-03-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44540]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | THOMSON-CSF |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | CARBALLES, JEAN-CLAUDE. Contacting structure on a semiconductor arrangement. US4206468. 1980-06-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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